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湿法清洗 ：

      湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、**物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、 IMEC清洗法、单晶片清洗等。

清洗流程的操作规范：

(1) 用丙酮(ACE)、异丙醇(IPA)、去离子(DI)水依次进行超声清洗**声设备内槽、烧杯、花篮、卡塞及样品盒；

(2) 在二个超声设备的内槽分布倒入 2000 - 4000 ml的丙酮和异丙醇溶液，具体的溶液体积由内槽的容积来定，保证溶液水平面在花篮上平面以上；在一个烧杯中倒入2000 ml丙酮溶液；记录溶液更换日期，腐蚀机，按每2000 ml溶液清洗250片晶片的要求规划溶液的清洗次数；

(3) 将晶片用花篮盛放并将其置于丙酮的内槽中，湿法腐蚀机，设置超声的温度60°C，并计时超声清洗晶片10分钟，腐蚀机价格，用盖将内槽封闭，并记录溶液累计使用片数；

(4) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(5) 将花篮置于异丙醇中，设置溶液温度60°C，记时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，记录溶液累计使用片数；  (5) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(6) 将放有晶片的花篮置于已配制好的硫酸和双氧水(共1200 ml，H2SO4 : H2O2 =3:1)溶液中，计时10分钟，并记录溶液使用累计片数；保持溶液的温度为90°C。如果溶液不是新配溶液，需向溶液中按溶液的1/3加入双氧水溶液；

(7) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(8) 将晶片从花篮中取出，放置到特制的卡塞中，将放有晶片的卡塞置于兆声波设备内槽中，硅片腐蚀机，在60°C兆声清洗10分钟； 

(9) 将放有晶片的卡塞取出冲水10分钟； 

(10) 将放有晶片的卡塞放入甩干机中，烘干。

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