苏州晶淼半导体 图 |晶圆清洗机|圆晶清洗

清洗流程的操作规范：

(1) 用丙酮(ACE)、异丙醇(IPA)、去离子(DI)水依次进行超声清洗**声设备内槽、烧杯、花篮、卡塞及样品盒；

(2) 在二个超声设备的内槽分布倒入 2000 - 4000 ml的丙酮和异丙醇溶液，具体的溶液体积由内槽的容积来定，保证溶液水平面在花篮上平面以上；在一个烧杯中倒入2000 ml丙酮溶液；记录溶液更换日期，按每2000 ml溶液清洗250片晶片的要求规划溶液的清洗次数；

(3) 将晶片用花篮盛放并将其置于丙酮的内槽中，设置超声的温度60°C，并计时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，并记录溶液累计使用片数；

(4) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(5) 将花篮置于异丙醇中，设置溶液温度60°C，记时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，记录溶液累计使用片数；  (5) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(6) 将放有晶片的花篮置于已配制好的硫酸和双氧水(共1200 ml，H2SO4 : H2O2 =3:1)溶液中，计时10分钟，圆晶清洗台，并记录溶液使用累计片数；保持溶液的温度为90°C。如果溶液不是新配溶液，圆晶清洗，需向溶液中按溶液的1/3加入双氧水溶液；

(7) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；

(8) 将晶片从花篮中取出，放置到特制的卡塞中，将放有晶片的卡塞置于兆声波设备内槽中，在60°C兆声清洗10分钟； 

(9) 将放有晶片的卡塞取出冲水10分钟； 

(10) 将放有晶片的卡塞放入甩干机中，烘干。

     像兆频超声搅动这样的物理辅助手段对结构损伤和图形坍塌等有潜在影响，晶圆清洗机，正在对其改进，以便在保持微粒去除工艺效率的同时不对图形完整性产生有害影响。考虑到表面形态的原子级恶化都可能对器件性能会有致命影响，即使像DI水清洗等这些看起来较良性的清洗程序元素也必须重新评估。

清洗操作的注意事项：

     在清洗机内作业时，打开机器的通风设备，关闭外窗门，以防止**溶剂气体扩散到清洗间，污染样品，损害操作人员健康； 保持清洗机内的清洁卫生，不摆放除超声设备、烧杯、花篮以外的其他设备。