苏州*供液系统,系统,苏州晶淼半导体

干法清洗：

　　对于已经氢还原的MCP，因为二次电子发射层已经形成，集中供液系统，如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的破坏，并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP，一般选用干法清洗，主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。

      晶圆清洗是半导体制造典型工序中较常应用的加工步骤。就硅来说，清洗操作的化学制品和工具已非常成熟，系统，有多年广泛深入的研究以及重要的工业设备的支持。所以，集中供酸系统，硅清洗技术在所有具实际重要性的半导体技术中是较为成熟的。**一个完整的、基于科学意义上的清洗程序在1970年就提出了，这是专门设计用于清除Si表面的微粒、金属和**污染物。

    选择清洗机时要注意

    仔细观察认证标志，鉴别产品质量。

    比如图案大小， 各认证机构对于其认证标志的外观。比例，颜色，必需要有的内容等，都有严格的规定。像CE认证，其比例是有严格界定的左下图是正确的CE标志，右下图是假冒的标志。其区别在于字母E里面的小横线的长短不同，真标识的小横线应当短于上下两横线。同时请注意该标识必需依照两圆交接处的距离来确定C和E两个字母的间隔距离。两字母间距过大或过小都是假冒的。