苏州晶淼半导体 图 ,晶圆清洗机,清洗机

   RCA清洗法:自从20世纪70年代RCA清洗法问世之后，几十年来被**广泛采用。它的基本步骤较初只包括碱性氧化和酸性氧化两步，但目前使用的RCA清洗大多包括四步，即先用含硫酸的酸性过氧化氢进行酸性氧化清洗，清洗机，再用含胺的弱碱性过氧化氢进行碱性氧化清洗，接着用稀的氢氟酸溶液进行清洗，较后用含盐酸的酸性过氧化氢进行酸性氧化清洗，在每次清洗中间都要用**纯水（DI水）进行漂洗，较后再用低沸点**溶剂进行干燥。

      MEMS制造的特点是，它含有3D精细图形的深刻蚀，并要求横向深刻蚀埋层氧化物的释放加工工艺。用常规的湿法刻蚀和清洗技术是不能完成从这种非常紧密的几何图形除去可能的刻蚀残留物，并确保悬臂梁和膜片的无静摩擦操作的。已经研究用无水HF/甲醇（AHF/MeOH））牺牲层氧化物刻蚀工艺作为后者的可行解决方法。

清洗的注意事项：

(1)关机重启后，时间间隔1分钟以上，晶圆清洗机，否则可能会造成电气损坏；

(2)设备运行中，注意去离子水流量不得**过允许值，否则可能由于排放受阻而造成机器损坏；

(3)每次运行完毕后取出片子时，清洗机厂家，注意卡塞口是否朝上，苏州清洗机，纠正后再取出，否则片子会掉出来；

(4)一旦发现水路的关联件出现“漏水”、“滴水”现象应立即关机，检修后再运行。