湿法清洗 :
湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、**物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、 IMEC清洗法、单晶片清洗等。
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酸加氧化剂清洗:
酸加氧化剂清洗液配方为:HCI∶H2O2∶H2O=1∶5∶5~1∶10∶10,可溶解碱金属离子,并生成碳酸盐和铝、铁及镁之氢氧化物,SPM清洗设备,另外盐酸中氯离子与残留金属离子发生络合反应形成易溶于水溶液的络合物,也可去除金属污染物。双氧水一方面可以去除**物污染,另外配合搅拌和超声过程中形成的大量气泡对表面大颗粒污染物产生较大冲击力,使污染物脱离表面。