苏州晶圆酸洗机|苏州晶淼半导体|酸洗机

     就清洗媒介来说，湿法清洗仍然是现代先进晶圆清洗工艺的主力。虽然Si技术中的清洗化学材料与较初RCA的配方相差不大，上海晶圆酸洗机，但整体工艺较明显的改变包括：采用了非常稀释的溶液；简化工艺；广泛使用臭氧水。

      在清洗工艺中，去除刻蚀后的光刻胶残渣是半导体行业的一大技术难点，酸洗机，尤其是经过高浓度离子注入的光刻胶，注入的阳离子和光刻胶中的碳形成很强的化学键，苏州晶圆酸洗机，使光刻胶表面高度交联，形成一层高度致密、耐腐蚀的碳化硬壳，大大增加了光刻胶的去除难度。