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MEMS制造的特点是,它含有3D精细图形的深刻蚀,并要求横向深刻蚀埋层氧化物的释放加工工艺。用常规的湿法刻蚀和清洗技术是不能完成从这种非常紧密的几何图形除去可能的刻蚀残留物,吴江半导体清洗设备,并确保悬臂梁和膜片的无静摩擦操作的。已经研究用无水HF/甲醇(AHF/MeOH))牺牲层氧化物刻蚀工艺作为后者的可行解决方法。
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为了应对硅表面的非平面性问题,半导体清洗,晶圆清洗技术至少受到三个不同*加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时,苏州半导体清洗设备,尖端数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度,半导体清洗设备,这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质,另一途径是通过三维结构MOS栅较以增加栅面积又不增加单元电路面积,再一个途径就是二者的结合。
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