RCA清洗法:自从20世纪70年代RCA清洗法问世之后,金属腐蚀台,几十年来被广泛采用。它的基本步骤初期只包括碱性氧化和酸性氧化两步,但目前使用的RCA清洗大多包括四步,即先用含硫酸的酸性进行酸性氧化清洗,再用含胺的弱碱性进行碱清洗,接着用稀的qing氟酸溶液进行清洗,然后用含盐酸的酸性进行酸性氧化清洗,在每次清洗中间都要用**纯水(DI水)进行漂洗,腐蚀,然后再用低沸点进行干燥。
清洗安全操作规范:
(1)**废液和无机废液要回收严格分开,半导体腐蚀台,放入不同密封箱里;
(2)异bing醇和去胶液的温度已经固定,不得随意更改。如确有需要,向领班汇报,等待上级批准;
(3)硫酸和混合溶液一定要等到冷却到30°C以下才能回收;
(4)溶液配制或回收时,溅到操作台上的溶液一定要用水冲干净,SPM腐蚀台,再用氮qi吹干,保持工作台的清洁、干净。
在半导体湿式清洗制程中,晶圆 (湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备,清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污,以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。过去 RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术,不过随着近年来制程与清洗设备的演进,不但在清洗制程中不断产生新的技术,也随着半导体后段封装技术的演进,清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。