清洗流程的操作规范:
(1) 用丙酮(ACE)、异丙醇(IPA)、去离子(DI)水依次进行超声清洗**声设备内槽、烧杯、花篮、卡塞及样品盒;
(2) 在二个超声设备的内槽分布倒入 2000 - 4000 ml的丙酮和异丙醇溶液,具体的溶液体积由内槽的容积来定,保证溶液水平面在花篮上平面以上;在一个烧杯中倒入2000 ml丙酮溶液;记录溶液更换日期,按每2000 ml溶液清洗250片晶片的要求规划溶液的清洗次数;
(3) 将晶片用花篮盛放并将其置于丙酮的内槽中,半导体湿制程设备,设置超声的温度60°C,并计时超声清洗晶片10分钟,用盖将内槽封闭,并记录溶液累计使用片数;
(4) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟;
(5) 将花篮置于异丙醇中,湿制程设备,设置溶液温度60°C,记时超声清洗晶片10分钟,用盖将内槽封闭,记录溶液累计使用片数; (5) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟;
(6) 将放有晶片的花篮置于已配制好的硫酸和双氧水(共1200 ml,江阴湿制程设备,H2SO4 : H2O2 =3:1)溶液中,苏州湿制程设备,计时10分钟,并记录溶液使用累计片数;保持溶液的温度为90°C。如果溶液不是新配溶液,需向溶液中按溶液的1/3加入双氧水溶液;
(7) 将放有晶片的花篮取出冲水5分钟;
(8) 将晶片从花篮中取出,放置到特制的卡塞中,将放有晶片的卡塞置于兆声波设备内槽中,在60°C兆声清洗10分钟;
(9) 将放有晶片的卡塞取出冲水10分钟;
(10) 将放有晶片的卡塞放入甩干机中,烘干。
清洗的注意事项:
(1)关机重启后,时间间隔1分钟以上,否则可能会造成电气损坏;
(2)设备运行中,注意去离子水流量不得**过允许值,否则可能由于排放受阻而造成机器损坏;
(3)每次运行完毕后取出片子时,注意卡塞口是否朝上,纠正后再取出,否则片子会掉出来;
(4)一旦发现水路的关联件出现“漏水”、“滴水”现象应立即关机,检修后再运行。