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为了应对硅表面的非平面性问题,晶圆清洗技术至少受到三个不同*加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时,半导体清洗流程,尖端数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度,这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质,半导体清洗机,另一途径是通过三维结构MOS栅较以增加栅面积又不增加单元电路面积,再一个途径就是二者的结合。
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在清洗工艺中,去除刻蚀后的光刻胶残渣是半导体行业的一大技术难点,尤其是经过高浓度离子注入的光刻胶,注入的阳离子和光刻胶中的碳形成很强的化学键,半导体清洗,使光刻胶表面高度交联,形成一层高度致密、耐腐蚀的碳化硬壳,大大增加了光刻胶的去除难度。
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